晶須對策（基于錫的鍍層）

snplating

什么是晶須

　晶須(xu)是(shi)通過(guo)自然生(sheng)(sheng)長(chang)使(shi)針狀(zhuang)或(huo)根瘤狀(zhuang)的(de)(de)(de)金屬(shu)單(dan)晶在金屬(shu)表面上生(sheng)(sheng)長(chang)的(de)(de)(de)現象，并且已(yi)知是(shi)由(you)(you)鍍(du)錫和(he)鍍(du)鋅(xin)產生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)。問(wen)題在于(yu)，晶須(xu)在電(dian)子電(dian)路(lu)之間(jian)生(sheng)(sheng)長(chang)，這會導致短路(lu)和(he)短路(lu)。各種因素被認為(wei)是(shi)發生(sheng)(sheng)的(de)(de)(de)原因，例如“金屬(shu)間(jian)化合物/擴散的(de)(de)(de)影響”，“電(dian)腐(fu)蝕(shi)的(de)(de)(de)影響”，“外應力(li)的(de)(de)(de)影響”，“由(you)(you)于(yu)熱(re)膨脹系(xi)數(shu)不(bu)同而(er)引起(qi)的(de)(de)(de)應力(li)的(de)(de)(de)影響”等。機制未(wei)知。下面顯示了目前正(zheng)在使(shi)用的(de)(de)(de)晶須(xu)測試方法（一個示例）和(he)晶須(xu)發生(sheng)(sheng)情況。

晶須評估方法清單（示例）

	測試目的	測試環境和時間
室溫儲存測試	觀察晶須生長，主要是由于金屬間/擴散效應	30±2℃/ 60±3％RH 4000小時
恒溫恒濕測試	觀察晶須生長，主要是由于電腐蝕引起的	55±3℃/ 85±3％2000小時(shi)
溫度循環測試	觀察晶須生長主要是由熱膨脹系數的差異引起的	低溫：-55±5℃或-40±5℃ 高溫：85±2℃或125±2℃ 2000次(ci)
外部壓力測試	觀察外應力引起的晶須生長	1）連接器配合測試（使用實際產品進行配合測試）（ 2 ）負載測試：使用球形0.1φ氧化鋯球并在恒定負載（300gf）下保持500小時