精加工后(hou)進(jin)行熱處理(li)(li)（退火處理(li)(li)）的(de)方(fang)法也是(shi)有效的(de)。圖3示出了觀察在C1100上進(jin)行Sn鍍覆后(hou)的(de)化合(he)物(wu)層的(de)生(sheng)長(chang)的(de)結果(guo)，無(wu)論(lun)有無(wu)后(hou)處理(li)(li)，在室(shi)溫下放置20000Hr，進(jin)行蝕刻處理(li)(li)。如結果(guo)所(suo)示，可(ke)以(yi)看(kan)出通(tong)過熱處理(li)(li)抑制(zhi)了Cu 6 Sn 5化合(he)物(wu)的(de)生(sheng)長(chang)。..

在本(ben)部(bu)分中，我(wo)們發現可以通過改(gai)(gai)進諸(zhu)如(ru)“底涂層(ceng)”，“精加工(gong)鍍(du)(du)層(ceng)”和“后處理”之類的(de)(de)鍍(du)(du)層(ceng)工(gong)藝來抑(yi)制金屬間化合(he)物的(de)(de)生長(chang)。另外(wai)，在一些環境測試中，我(wo)們能夠確認晶須抑(yi)制效果(guo)。然而(er)，由于“由腐(fu)蝕引(yin)起(qi)(qi)的(de)(de)晶須”，“由熱膨脹系數不(bu)同(tong)引(yin)起(qi)(qi)的(de)(de)晶須”和“由外(wai)應力引(yin)起(qi)(qi)的(de)(de)晶須”具有(you)不(bu)同(tong)的(de)(de)產生機理，因(yin)此需(xu)要不(bu)同(tong)的(de)(de)方法(fa)和改(gai)(gai)進。

錦華隆(long)電子科技的(de)目(mu)標是在所有(you)環境(jing)測試中“零(ling)晶須的(de)產生(sheng)”，并且目(mu)前正從各種角度進行開發，評估(gu)和分析(xi)。