晶須對策(基于錫的鍍層)

snplating


提案例(2):合金鍍層的檢查

 將第(di)二(er)金屬添加到Sn鍍膜中的(de)方法(fa)也被認(ren)為是(shi)抑制晶須或提高焊料潤濕性的(de)有(you)效(xiao)方法(fa)。圖2示出了觀察在C1100上(shang)進(jin)行各種基(ji)于Sn的(de)鍍覆并且在室溫下將其在20000Hr下進(jin)行蝕刻(ke)處理(li)之后化合物層(ceng)的(de)生長的(de)結果。

圖2:由于完成的(de)Sn基鍍層的(de)差異而(er)導致(zhi)Sn化(hua)合(he)物生長的(de)差異

C1100上純錫鍍層外觀

C1100上純(chun)錫鍍層(ceng)外觀

C1100上Sn-Bi電鍍化合物層的狀態

C1100上Sn-Bi電鍍化合(he)物層的狀態

C1100上的Sn-Cu電鍍化合物層的狀態

C1100上的(de)Sn-Cu電鍍(du)化合(he)物層的(de)狀態

C1100上Sn-Pb電鍍化合物層的狀態

C1100上Sn-Pb電(dian)鍍化合物(wu)層的狀態

通(tong)過添加第二種(zhong)金屬,Sn化合(he)物的(de)(de)(de)(de)生(sheng)長有很(hen)大(da)的(de)(de)(de)(de)不同。在Sn-Pb鍍(du)(du)(du)(du)層(ceng)和Sn-Bi鍍(du)(du)(du)(du)層(ceng)中(zhong),“駝峰形”化合(he)物的(de)(de)(de)(de)粒徑小于Sn鍍(du)(du)(du)(du)層(ceng),在Sn-Cu鍍(du)(du)(du)(du)層(ceng)中(zhong),其(qi)呈(cheng)“柱狀”生(sheng)長,而(er)不是(shi)“駝峰形”。您可以(yi)看到它的(de)(de)(de)(de)運行狀況。我們(men)的(de)(de)(de)(de)室溫測(ce)試結果表明,每一種(zhong)晶須抑(yi)(yi)制(zhi)效(xiao)果都比鍍(du)(du)(du)(du)錫(xi)(未經熱(re)處理)要(yao)好。另(ling)外,已(yi)知通(tong)過組合(he)圖3所示的(de)(de)(de)(de)底涂層(ceng)可以(yi)進一步改變Sn基鍍(du)(du)(du)(du)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)化合(he)物形成狀態或擴散行為,并(bing)且(qie)期(qi)望(wang)獲得更高的(de)(de)(de)(de)晶須抑(yi)(yi)制(zhi)效(xiao)果(當前研究中(zhong))。

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