通過改變基底鍍層（通常為鎳或銅鍍層）的類型，可以看出金屬間化合物的生長或擴散速率存在很大差異。
　　圖(tu)1示出了在Ni和Cu底(di)涂(tu)層(ceng)，20000Hr室溫(wen)下(xia)蝕刻純(chun)Sn鍍層(ceng)之后(hou)的(de)(de)(de)Sn鍍層(ceng)的(de)(de)(de)SEM觀察照片(pian)。在使用Cu底(di)涂(tu)層(ceng)的(de)(de)(de)情況下(xia)，Cu 6 Sn 5化合物(wu)沿Sn晶界以(yi)(yi)“駝峰”形(xing)生長，而(er)Ni鍍層(ceng)則以(yi)(yi)薄箔(bo)的(de)(de)(de)形(xing)式生長。據推測，通過Ni底(di)涂(tu)層(ceng)獲得的(de)(de)(de)晶須(xu)抑制效果(guo)是Ni 3 Sn 4化合物(wu)層(ceng)以(yi)(yi)薄箔(bo)狀生長，從而(er)減輕了施加至純(chun)Sn鍍層(ceng)的(de)(de)(de)內部應力(li)。